Исследования

Молекулярно-лучевая эпитаксия Riber 21 T 3-5 (Riber, Франция)

   

   

Технические характеристики.

   Установка состоит из 3-х вакуумных камер: камера роста, камера подготовки, камера загрузки.

  Все камеры оснащены системами безмаслянной откачки и разделены между собой высоковакуумными затворами.

   Камера роста предназначена для ведения процесса.

  Максимальный диаметр используемой подложки для нанесения эпитаксиальных слоев 76 мм.

   Предельное давление в камере не более 5·10 -7 торр.

  Для обезгаживания камера роста оснащена парусной системой прогрева до 200°С.

  Держатель подложки, расположенный внутри камеры роста, снабжен системой нагрева до 750°С.

   Подложка может непрерывно вращаться со скоростью до 40 об/мин.

   Камера роста оснащена внутренней криопанелью с охлаждением жидким азотом с расходом в момент роста слоев до 50 литров в час.

   Имеется 5 источников молекулярных потоков, расположенных внутри камеры.

   Камера роста оснащена:
•   эффузионной ячейкой для галлия, индия, алюминия – объем тигля 60 см 3, максимальная температура нагрева тигля 1400°С;
• вентильным источником металлического мышьяка с крекингсистемой – объем тигля 550 см 3, максимальная температура тигля 500°С, системы крекинга 1200°С.

 Камера подготовки предназначена для хранения и предварительной обработки подложек.

   Предельное давление в камере подготовки не более 5·10 -10 торр.

   Для обезгаживания камеры подготовки имеется наружная система нагрева до 150°С, для подготовки подложки камера оснащена внутренним нагревателем до 450°С.

  Камера загрузки предназначена для шлюзования подложек в камеру подготовки.

   Предельное давление в камере 5·10 -10 торр.

  Система управления контролирует процессы откачки, поддержание переменных температур и других характеристик.

Метод.Молекулярно-лучевая эпитаксия гетероструктур группы А3В5 на подложках GaAs, InP.

Диаметр до 75 мм (3 дюйма).

Область применения. Нано- и микроэлектроника, СВЧ электроника, сенсоры.

Получаемые опытные образцы. Гетероструктуры на подложках GaAs.