Новости

18 августа 2017 г.
      В МИФИ разработали аналитическую модель подвижности в дипольных стеклах.

   

   

По материалам официального сайта МИФИ

Статья на сайте Journal of Physical Chemistry

Исследования специалистов НИЯУ МИФИ подтверждают применимость концепции эффективного транспортного уровня для моделирования органических материалов с коррелированным беспорядком. Об этом говорится в статье, опубликованной в журнале Journal of Physical Chemistry.

Специалистами кафедры физики конденсированных сред Института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике НИЯУ МИФИ разработана аналитическая модель для зависимости подвижности носителей заряда в неупорядоченных органических материалах с дальнодействующими корреляциями энергий (т.н. дипольных стеклах) от напряженности электрического поля. Моделирование характеристик транспорта (переноса) носителей заряда в этих материалах, важнейшей из которых является подвижность, представляет большой интерес, поскольку позволяет предсказывать характеристики и, таким образом, оптимизировать электронные устройства на основе этих материалов (светодиоды, фотовольтаические элементы, полевые транзисторы, и др).

Транспорт электронов (дырок) в неупорядоченных органических полупроводниках является прыжковым, т.е. происходит путём некоррелированных туннельных перескоков между локализованными состояниями с участием фононов. Особенностью такого переноса, как известно из многочисленных экспериментов, является достаточно сильная (т.н. Пул-Френкелевская) зависимость подвижности от электрического поля. Для полярных материалов эта зависимость получила объяснение на основе модели дипольного стекла, согласно которой разброс энергий локализованных состояний возникает вследствие взаимодействия заряда с хаотически ориентированными собственными дипольными моментами окружающих молекул. Известно, что дальнодействующий характер этого взаимодействия приводит к дальнодействующим корреляциям энергий (корреляционная функция убывает с ростом расстояния r между прыжковыми центрами как 1/r). Таким образом, достаточно глубокое состояние находится в центре квази-кулоновской потенциальной ямы, и освобождение носителя с него подобно разделению зарядов близнецовой (геминальной) пары.

Применение известной модели Онзагера и концепции транспортного уровня позволило получить аналитическое выражение, которое после несложного интегрирования дает полевую и температурную зависимость подвижности. Применимость этой модели подтверждается хорошим совпадением с известными экспериментальными данными и результатами Монте-Карловского (МК) моделирования. При этом результат не содержит числовых коэффициентов, которые есть в подгоночной формуле, выражающей результаты МК-моделирования, зависимость которых от параметров материала точно неизвестна.

Значение работы также в том, что она подтверждает применимость концепции эффективного транспортного уровня для моделирования органических материалов с коррелированным беспорядком.

   


   

15 августа 2017 г.
      Новые публикации сотрудников Инжинирингового центра НИЯУ МИФИ.

   

   

По материалам официального сайта МИФИ

Статьи на сайте Springer International Publishing

В международном журнале Advances in Intelligent Systems and Computing, Volume 636 опубликованы две статьи авторского коллектива Инжинирингового центра НИЯУ МИФИ "Gamma-Probe for Locating the Source of Ionizing Radiation" и "Security Module Protecting the Privacy of Mobile Communication".

В первой статье описан портативный детектор гамма-квантов для диагностики некоторых видов злокачественных новообразований при использовании радиофармпрепаратов, вводимых в организм. Традиционно в гамма-локаторе в качестве сцинциллятора используется кристалл LaBr3:Ce, а в качестве фотодетектора – кремниевый фотоумножитель SiPM. Цель работы – улучшение характеристик усилителя, который первоначально производит импульсы, непригодный для дискриминации энергии. В программе LTSPICE было проведено моделирование параметров SiPM и усилителя и установлено, что высокое входное сопротивление и высокий коэффициент усиления были источником искажения. Предложена схема усилителя с улучшенными параметрами.

Вторая статья посвящена описанию системы связи повышенной защищенности, которая, кроме стандартных элементов, включает защитный модуль на шинах передачи данных между процессором и средствами связи. Защитный модуль обеспечивает шифрование данных и без использования специальных защищенных процессоров исключает возможность передачи недоверенных данных на модули связи.

   


   

10 августа 2017 г.
      «Синий чип» повысит энергоэффективность осветительных устройств.

   

   

Посмотреть видео

Ученые МИФИ разработали технологию получения рельефной поверхности SiC, которая может использоваться в условиях серийного производства «флип-чип» светодиодов. Ее внедрение позволит значительно повысить энергоэффективность отечественных осветительных устройств.

   


   

4 августа 2017 г.
      Российские нанотехнологии пришли в Европу.

   

   

По материалам официального сайта МИФИ и газеты "Известия"

Созданная россиянами компания OCSiAl создаст в Люксембурге промышленное производство одностенных углеродных нанотрубок и центр исследований. Об этом объявил вице-премьер и министр экономики Великого Герцогства Люксембург Этьен Шнайдер. Комментарий по теме дал доцент Института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике (ИНТЭЛ) НИЯУ МИФИ Алексей Грехов.

Компания с российскими корнями OCSiAl планирует развернуть в промышленной зоне Ханебеш (Люксембург) промышленное производство одностенных углеродных нанотрубок. Кроме того, создается исследовательский центр по изучению применения наноматериалов в Диффердандже (также Люксембург). Общий объем инвестиций составит €100 млн. В компании сообщили, что планируется создать около 200 рабочих мест.

Как рассказали представители фирмы, одностенные углеродные нанотрубки отличаются по свойствам от других известных материалов. Уже сейчас известно множество применений для них. Например, деталь, сделанная из нанотрубок, будет в 250 раз легче равной по прочности стальной. При добавлении наноматериала силикон становится электропроводным. С нанотрубками вес шин уменьшается, при этом увеличивается износостойкость и сцепление на мокрой поверхности. Используя такие материалы в электрохимических источниках тока, можно значительно увеличить емкость аккумуляторов и в несколько раз — количество циклов заряда-разряда.

Компания OCSiAl была создана в 2010 году российскими учеными и предпринимателями. Первой разработкой стала технология промышленного синтеза одностенных углеродных нанотрубок. Она основана на изобретениях одного из сооснователей компании — академика Михаила Предтеченского. В 2015 году в Новосибирске созданный фирмой промышленно-исследовательский реактор выдал первую промышленную партию в 1250 кг одностенных углеродных нанотрубок. В 2016 году OCSiAl синтезировал 4 т одностенных углеродных нанотрубкок, а в этом году подойдет к предельной производительности для этого реактора — 10 т. К этому времени в соседнем помещении завершится монтаж уже промышленного реактора Graphetron 50 производительностью 50 т в год.

По словам генерального директора OCSiAl Юрия Коропачинского, высокоразвитые страны должны придумывать базовые технологии на собственной территории, а производство выносить в другие государства. Например, по такому принципу работает компания Apple — ее производство расположено в Китае.

Доцент кафедры молекулярной физики ИНТЭЛ НИЯУ МИФИ Алексей Грехов рассказал, что одностенные углеродные трубки известны науке уже более 20 лет. По его словам, уникальные прочностные, электропроводящие и поверхностные свойства этих наноразмерных объектов породили грандиозные планы по их применению в различных областях науке и техники. Например, несколько лет назад американские ученые разрабатывали проект космического лифта, в котором собирались использовать сверхпрочный трос из углеродных нанотрубок. Правда, при текущем состоянии исследований, такое изобретение может появиться не раньше, чем через несколько десятков лет.

— Сейчас модифицируют свойства различных материалов, внедряя в их структуру нанотрубки. Например, внедряя углеродные нанотрубки, увеличивают прочностные свойства полимеров в десятки и сотни раз. Или, если использовать электропроводящие нанотрубки, то можно таким простым способом менять проводимость диэлектрических материалов, — поделился Алексей Грехов. — Причем в сравнении с другими наночастицами, например, сферической формы, ощутимые изменения наблюдаются при добавлении лишь нескольких массовых процентов нанотрубок. Поэтому при средней рыночной стоимости в несколько долларов за грамм, добавление нанотрубок может оказаться эффективным способом создавать новые материалы без существенных затрат.

Высокотехнологические фирмы с российскими корнями и ранее размещали производство в других странах. Например, компания YotaDevices (среди ее соучредителей — Госкорпорация «Ростех») в 2013 году начала выпуск смартфонов YotaPhone в Китае. Два разработчика дронов для сельского хозяйства, Fly&Film и Gamaya (основаны выходцами из России), в 2010 года открыли производство в Швейцарии. В прошлом году резидент «Сколково» — пермская компания «Промобот» (создает роботов-промоутеров) подписала соглашения о производстве в КНР.

   


   

31 июля 2017 г.
      Сотрудник ИНТЭЛ представил результаты своих исследований на международной конференции в Италии.

   

   

По материалам официального сайта МИФИ

Сотрудник кафедры микро- и наноэлектроники Института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике (ИНТЭЛ) Б.В. Гурковский представил два доклада на международной конференции 2017 IEEE Workshop on Environmental, Energy, and Structural Monitoring Systems.

Конференция прошла в Италии в Миланском государственном университете 24-25 июля 2017.

Доклады:

1. Method for Recognizing Alpha and Beta Radioactive Contamination in Portal Monitor Using Open-Air Gas-Discharge Counter

2. Microwave Dosimeters for Domestic Use

   


   

27 июля 2017 г.
      На конференции IEEE по космическим и ядерным радиационным эффектам в США представлено два доклада сотрудников кафедры микро- и наноэлектроники ИНТЭЛ.

   

   

По материалам официального сайта МИФИ

С 17 по 21 июля в г. Новый Орлеан, США, штат Луизиана состоялась конференция IEEE по космическим и ядерным радиационным эффектам (2017 IEEE Nuclear and Space Radiation Effect Conference, NSREC-2017). Она проходит ежегодно и является крупнейшей международной научно-практической конференцией по радиационной стойкости электроники космического назначения.

В этом году были представлены несколько десятков устных докладов и более сотни стендовых участниками из ведущих мировых научно-исследовательских организаций, таких как: NASA, Роскосмос (ОАО ОРКК -"НИИ КП"), ESA, CERN, Vanderbilt University, University of Padova.

Доцент НИЯУ МИФИ Александр Сергеевич Бакеренков представил два доклада сотрудников кафедры микро- и наноэлектроники Института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике (ИНТЭЛ) по исследованию эффекта послерадиационного отжига и радиационных эффектов в современных интегральных микросхемах в широком температурном диапазоне.

Доклады вызвали живой интерес участников конференции, поскольку тема исследования является актуальной не только с научной, но и с практической точки зрения. Сейчас работы активно продолжаются, результаты дальнейших исследований уже приняты для представления на ведущей европейской конференции по радиационной стойкости RADECS-2017, которая, в этом году, организована CERN и пройдет в Швейцарии, г. Женева с 2 по 6 октября.

   


   

12 июля 2017 г.
      Россия-24: Наноцентр НИЯУ МИФИ как пример инновационного центра при вузе.

   

   

Посмотреть видео

По материалам официального сайта МИФИ

Проректор НИЯУ МИФИ, директор Института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике Николай Каргин выступил в качестве эксперта в программе «Парламентский час» на телеканале «Россия 24», посвященной созданию инновационных центров при вузах.

В России сегодня делают ставку на прорывные технологии и молодых ученых. Поддержанный депутатами ГД РФ в первом чтении законопроект о создании инновационных центров при вузах важен не только для науки, но и для развития экономики страны. Он позволит соединить смелую мысль молодых с опытом академических ученых и прагматизмом производственников, которые заинтересованы в развитии новых технологий и их скорейшем применении на практике.

В одном из таких центров при Национальном исследовательском ядерном институте «МИФИ» создается импортозамещающая элементная база для российского космоса и промышленности. В лабораториях ядерного университета изготавливаются отечественные приборы, которые работают на новых физических принципах.

Здесь уверены, что наука, не ориентированная нас связь с промышленностью, навсегда останется лишь теорией, а прикладной характер исследований способен обеспечить реальный рост экономики. Директор Института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике НИЯУ МИФИ проректор Николай Каргин считает, что получить результат, востребованный в промышленности, можно только тогда, когда выстроен путь ­– «не ты идешь к заказчику, а заказчик идет к тебе».

Сегодня в России таких инновационных научно-исследовательских центров в сфере нанотехнологий, какой создан в МИФИ, меньше, чем пальцев на одной руке. Новый закон позволит создать больше возможностей для разработки и внедрения новых технологий, инновационные центры при вузах смогут выстраивать производственные и технологические цепочки вместе с предприятиями, создавая нужную стране продукцию.

   


   

11 марта 2017 г.
      Сотрудники кафедры 67 «Физика конденсированных сред» приняли участие в организации и проведении 9-го Международного семинара AGTaX в г. Дели, Индия.

   

   

Состоялся 9-й международный научный семинар AGTaX (Advance Generation of THz and X-rays using compact accelerators). В подготовке и проведении семинара определяющее участие традиционно принимают сотрудники кафедры 67 "Физика конденсированных сред", группа «Излучение релятивистских частиц». Данный семинар, уже 9-й в этой серии, был проведен 6-7 марта в Inter-University Accelerator Center, New Delhi, India.

В семинаре приняли участие ученые из

  • Великобритании (University of Oxford, Royal Holloway University of London),
  • Японии (High Energy Accelerator Research Organization (KEK), Hiroshima University, Osaka University),
  • России (НИЯУ МИФИ, ТПУ),
  • Германии (DESY, ELBE Radiation facility, Helmholtz Zentrum Dresden Rossendorf (HZDR)),
  • США (Brookhaven National Laboratory),
  • Швеции (Scandinova),
  • Индии (Inter-University Accelerator Center, New Delhi; Tata Institute of Fundamental Research, Mumbai; Indian Institute of Technology, Delhi; Indian Institute of Technology, Hyderabad; National Physical Laboratory, Delhi; Indian Institute of Technology, Madras, Chennai; University of Madras, Chennai; Raja Ramanna Centre of Advanced Technology, Indore; Indian Institute of Science and Educational Research, Bhopal; Free Electron Laser Laboratory, Materials and Advanced Accelerator Sciences Division, Raja Ramanna Centre for Advanced Technology (RRCAT), Indore).

Среди российских и зарубежных участников конференции четверо являются сотрудниками кафедры 67 «Физика конденсированных сред», ИНТЭЛ, из них доцент каф. 67 А.С. Арышев стал со-организатором семинара, А.А. Тищенко вошел в Программный комитет.

Семинар был посвящен обсуждению различных схем генерации рентгеновского и терагерцового излучения с использованием компактных электронных ускорителей. Местом проведения был выбран Inter-University Accelerator Center, Дели, поскольку именно там в настоящее время строится компактный ускоритель, способный генерировать пучки терагерцового и рентгеновского излучения на основе различных механизмов. В дизайн этой установки заложен опыт создателей японского компактного ускорителя LUCX (KEK, Japan) – одной из лучших по своим характеристикам действующих машин такого класса на сегодня. Участие сотрудников каф. 67, ИНТЭЛ, группа “Излучение заряженных частиц”, обусловлено еще и тем, что аналогичный проект установки, только с еще более совершенными характеристиками, задуман и разрабатывается уже в самом НИЯУ МИФИ, на стыке деятельности сразу трех Институтов: ИНТЭЛ, ИФИБ и ЛАПЛАЗ, с участием сотрудников из ФИАН, МГУ, KEK, University of Oxford. Реализация этого проекта способна вывести МИФИ в ряд мировых лидеров в этой области, и позволить создать на базе НИЯУ МИФИ исследовательскую установку широкого профиля мирового класса, особенно необходимую для реализации прорыва в медицинской диагностике сердечных заболеваний.

   


   

2 марта 2017 г.
      Профессор кафедры физики конденсированных сред награжден медалью А.М. Прохорова Академии инженерных наук.

   

По материалам официального сайта МИФИ

   

Профессор кафедры физики конденсированных сред Султан Барасбиевич Дабагов награжден медалью имени А.М. Прохорова Академии инженерных наук за вклад в физику каналирования как метода управления пучками заряженных частиц, рентгеновского излучения и нейтронов и за популяризацию последних достижений в данной области.

Медаль имени выдающегося ученого лауреата Нобелевской премии, лауреата Ленинской и Государственной премий, дважды Героя Социалистического труда, организатора и первого Президента АИН Александра Михайловича Прохорова является высшей наградой Академии инженерных наук. Медалью имени А.М. Прохорова награждаются российские ученые, внесшие значительный вклад в развитие инженерных наук.

Поздравляем Султана Барасбиевича с заслуженной наградой и желаем дальнейших успехов!

   


   

12 февраля 2017 г.
      Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике представил возможности для получения образования.

   

По материалам официального сайта МИФИ

   

В НИЯУ МИФИ проходит череда мероприятий для абитуриентов – Дни открытых дверей. 12 февраля своих, возможно, будущих студентов встретил Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике (ИНТЭЛ).

Институт, созданный год назад для подготовки специалистов по ключевым направлениям развития электронной промышленности, сегодня предоставляет своим студентам уникальные возможности стать профессионалами мирового уровня, владеющих как фундаментальными знаниями, так и современными технологиями и методами исследований.

Как отметил директор Института Николай Иванович Каргин, политика ИНТЭЛ направлена на решение глобальных вызовов, стоящих сегодня перед электроникой. Для решения этих задач есть все возможности. Институт обладает уникальной лабораторной базой, оснащен передовым технологическим и исследовательским оборудованием.

Доклад директора ИНТЭЛ вызвал живое обсуждение. Кто-то интересовался популярной сегодня темой квантовой запутанности (оказалось, что Институт как раз начинает работы в этом направлении), а кто-то хотел узнать, как вчерашнему школьнику усвоить такие сложные предметы как квантовая механика.

Официальная часть на этом закончилась, но самое интересное ждало ребят в читальном зале библиотеки, где была организована выставка образовательных программ и научных достижений Института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике. Каждой программе соответствовал отдельный стенд, на котором были представлены подробная аннотация, перечень специальных курсов, читаемых в рамках программы, ведущие профессора, примеры дипломных работ. На все возникающие вопросы охотно отвечали представители кафедр.

Дополнительным фактором привлекательности ИНТЭЛ стала организация практических занятий со школьниками. Студенты и сотрудники кафедр №81, 27, 67 провели ряд мастер-классов, направленных на приобретение конкретных и полезных навыков, например, по пайке электронных компонент. Ребята могли попробовать себя в компьютерном моделировании наноструктур, программировании микроконтролеров.

Школьникам продемонстрировали уникальные приборы, разработанные специалистами кафедр, например, высокочувствительный лазерный детектор взрывчатых веществ, устройство отбора аэрозольных проб нейтронного размера, люминисценитный ридер на основе квантовых точек для биомедицины и др. В основе работы этих приборов лежат последние достижения нанотехнологий, нанофотоники, плазмонных свойств веществ и т.п.

В рамках Дня открытых дверей сотрудники университета организовали и провели ряд лекций по темам, которые стали интересны не только школьникам, но и их родителям. Перед аудиторией выступили: доцент кафедры микро- и наноэлектроники А.С Бакеренков с лекцией «Специализированная электроника в атомной и космической отрасли. Опыт МИФИ», заведующий кафедрой физики микро- и наносистем А.А. Чистяков с лекцией «Основы научной организации инженерного творчества». Выпускники МИФИ, а ныне руководители подразделений головного института радиоэлектронной промышленности ЦНИИ «Электроника» Я.И. Петренко, В.В. Французова, А.А. Исаев и Д.В. Корначев провели лекцию–дискуссию «Диалог с работодателем: перспективы российской радиоэлектронной промышленности», в которой обозначили стратегические тенденции развития отрасли и перспективы трудоустройства в крупных холдингах и организациях, а также ответили на актуальные вопросы абитуриентов о возможностях начала карьеры в отрасли.

Многие ребята воспользовались возможностью совершить экскурсии на кафедры ИНТЭЛ. Например, посетили НОЦ «Нанотехнологии» – один из лучших в России центров для разработок в области СВЧ и силовой электроники, включающий в себя как полную линию опытного производства, так и уникальное измерительное оборудование. Кроме него, ребят ждали уникальные лаборатории кафедры молекулярной физики (№10) и кафедры физики микро- и наносистем (№81). Экскурсии вызвали большой интерес у школьников.

   


   

9 февраля 2017 г.
      В числе лауреатов премии Правительства России в области образования – сотрудник ИНТЭЛ.

   

По материалам официального сайта МИФИ

   

Заместитель Председателя Правительства Российской Федерации О.Ю. Голодец и Министр образования и науки Российской Федерации О.Ю. Васильева вручили премии Правительства России в области образования за 2016 год. Торжественная церемония награждения прошла в Доме Правительства.

В числе лауреатов – сотрудник Национального исследовательского ядерного университета «МИФИ», профессор кафедры микро- и наноэлектроники Института нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике Г.И. Зебрев за комплекс научно-методических пособий и научно-образовательных изданий «Физика, технология, приборы и схемы современной микро- и наноэлектроники».

«Присуждение премии Правительства – это, прежде всего, заслуженное признание вашей деятельности обществом. Уверена, что и в дальнейшем вы будете самыми активными участниками образовательного процесса, какими являетесь на сегодняшний день. Я думаю, что у нас будет создана еще более эффективная система российского образования», – сказала Министр, обращаясь к собравшимся.

   


   

4 февраля 2017 г.
      Работая под руководством учёных нашего института, московская школьница решила обобщенное функциональное уравнение.

   

Редкая международная математическая олимпиада обходится без задач, связанных с функциональными уравнениями. В таких задачах в качестве неизвестного выступает не одна или несколько переменных, а целая функция. Ученица 11 класса лицея 1580 Валерия Сон обобщила подобные задачи, предлагавшиеся на олимпиадах последних лет. Ей удалось выделить класс решений, имеющих единственную точку разрыва, и найти условия существования таких решений. Работа представлена на математической секции конкурса "Юниор" и готовится к опубликованию в журнале "Вестник НИЯУ МИФИ".

   

Юниор 2017 математическая секция Юниор 2017 математическая секция