26 апреля пройдет секция ИНТЭЛ школы –конференции «Современные проблемы физики и технологий»

Уважаемые участники X-й Международной молодежной научной школы –конференции «Современные проблемы физики и технологий»!

26 апреля пройдет заседание секции «Наноструктурная электроника, фотоника и молекулярная физика» ИНТЭЛ НИЯУ МИФИ.

Работа секции будет проходить в гибридном очном/дистанционном формате аудитории проведения А-100 (с 9:45 по 12:40) и А-304 (с 13:30 по 15:00).  

Очно могут участвовать только студенты московской площадки НИЯУ МИФИ.

Все желающие могут присоединиться к мероприятию дистанционно по ссылке: https://ivaedu.mephi.ru/#join:te622844a-3129-4a37-b65a-e39ccb54bef0

Конкурс проводится для двух групп учащихся: бакалавров, поступающих в магистратуру НИЯУ МИФИ, и магистров, поступающих в аспирантуру университета.

Успешные работы получают дополнительные очки для зачисления. 

Особым призом выделяются лучшие научные работы. Они награждаются сертификатом на публикацию в высокорейтинговых журналах за счет средств НИЯУ МИФИ.

Доклады участников:

- Обзор физических моделей эффекта низкой интенсивности в полупроводниковых приборах биполярной технологии.
- Резонансное разделение смесей газа акустической волной в сверхсильных центробежных полях.
- Электронные и оптические свойства диаманов на основе новых аллотропов графена.
- Исследование квантовых биений в толстой квантовой яме ingaas/gaas методом фотонного эха.
- Эффективность отечественной композитной керамики Nd3+:YAG/Cr4+:YAG для компактных импульсных лазеров.
- Влияние внешних факторов на флуоресценцию полимера MDMO-PPV в пленках и структурах из пористого кремния.
- Малогабаритный времяпролетный масс-анализатор на основе секторных электростатических полей.
- Особенности рассеяния квазидвумерных электронов на квантовых точках и кольцах.
- Исследование путей формирования бетавольтаических преобразователей энергии на основе p-n-переходов в кремнии с профилированной поверхностью.
- Разработка параметрической модели HEMT на основе гетероэпитаксиальной структуры AlGaN/GaN.
- Разработка автоматизированного стенда для определения точки компрессии нелинейных устройств.
- Восстановление функции распределения пор по размерам. Влияние условий эксперимента.
- Влияние механических напряжений на электронные и оптические свойства графена на подложке из дителурида молибдена.
- Компактная модель p-GaN HEMT.
- Структура и электронные характеристики германиевых, полипризманов.
- Разработка датчика Холла по технологии КМОП 180нм.
- Разработка навигационной системы автономного мобильного робота на основе данных с лазерного дальномера.
- Фотонное эхо от свободных экситонов в монокристалле галогенидного перовскита CH3NH3PbI3.
- Тгц линзы на основе sbs, созданные с помощью 3d-печати.
- Исследование влияния вибрационных наводок на MEMS акселерометр-гироскопедение.