Научная работа ИНТЭЛ НИЯУ МИФИ в 2025 году 

Институт продолжает удерживать лидерство в исследовании полупроводниковых гетероструктур группы А3В5. Делимся достижениями ушедшего года:

Разработана технология «входа и выхода» оптического луча для фотонных микросхем. Это критически важный узел, который позволит создавать сверхбыстрый интернет, защищенную квантовую связь и новые системы радиофотоники.

Наши ученые разработали методику наблюдения, которая позволяет видеть, как меняются свойства материалов прямо внутри работающего ядерного реактора. Это позволяет использовать радиацию не как разрушитель, а как инструмент для точечной настройки свойств полупроводников.

Создали датчики магнитного поля, которые не боятся экстремальной радиации. Испытания показали: наши сенсоры в 1000 раз выносливее обычных кремниевых чипов. Теперь они могут надежно работать там, где всё остальное выходит из строя — например, внутри термоядерных реакторов (ТОКАМАКов) и мощных ускорителей частиц.

Подробнее:

Гетероструктуры на основе фосфида индия (InP), содержащие слои InGaAs, InGaAsP, InAlAs,  являются важными полупроводниковыми материалами, обладающими рядом преимуществ, включая высокую скорость дрейфа электронов, хорошую теплопроводность, высокую эффективность фотоэлектрического преобразования и управляемую за счет выбора состава ширину запрещенной зоны. Гетероструктуры на основе подложки фосфида индия обеспечивают компонентную базу сверхвысокочастотной электроники и фотоники, в том числе для телекоммуникационных систем и широкополосного интернета.

1. На основе InP гетероструктур была разработана технология формирования узла ввода-вывода оптического излучения в фотонные интегральные схемы. Технология после адаптации может быть применена для создания фотонных интегральных схем, в том числе, для телекоммуникационных применений, квантово-защищенных линий связи и задач радиофотоники.
2. Разработана и апробирована уникальная методика онлайн измерений электронных свойств полупроводников под действием нейтронного облучения, изучено трансмутационное легирование InP под действием реакторного облучения. Методика может применяться для ядерных технологий модификации полупроводников для электроники и в области испытаний радиационно-стойкой компонентной базы.
3. Были продолжены разработки радиационно-стойких датчиков магнитного поля на основе InAs с управляемой дефектностью, испытание под действием нейтронного облучения показало их стойкость до флюенса более 5*10^18 нейтронов на см^2, что на 3 порядка превышает уровень для кремниевых приборов. Датчики могут применяться в ТОКАМАКах и ускорительной аппаратуре.

Конечно, это лишь малая часть того, что происходит в наших лабораториях! В дальнейших постах расскажем про другие направления исследований. Ставьте реакции и пишите в комментариях, о каком направлении вам было бы интересно почитать в следующем посте!