Ваш браузер безнадежно устарел, для работы с порталом его необходимо обновить или установить любой другой современный браузер.
Институт нанотехнологий
в электронике, спинтронике и фотонике
Обращение
Форма поиска
Поиск
Об институте
Основные сведения
Руководство
Кафедры
Технологические центры
Партнеры
Новости
Новости
Галерея
Контакты
Адрес
Руководство
Учебный отдел
Социальные сети
Бакалавриат и специалитет
Магистратура
Аспирантура
Иностранным абитуриентам
Электроника и наноэлектроника
Направление подготовки:
11.03.04
Образовательная программа:
Гетероструктурная наноэлектроника
Продолжительность и форма обучения:
4 года, очная
Уровень образования:
Бакалавриат
ЕГЭ / Вступительные испытания:
Математика, Физика, Русский язык
Полезные ссылки
Министерство науки и высшего образования РФ
Ситуационный центр Минобрнауки России
Наука и образование против террора
Противодействие коррупции
Диалог науки и религии
Социальный навигатор
Приоритет 2030
Уникальная научная установка НЕВОД
Отраслевой карьерный портал Росатома
Тревожная кнопка
Международная олимпиада для студентов
Олимпиада «Я - профи»
Эндаумент-фонд НИЯУ МИФИ
Совет ветеранов
+
Ассоциация выпускников
Виртуальный музей
Корпоративный портал
Онлайн обучение
Портал олимпиад
Прием онлайн
Приемная комиссия
Расписание занятий
Сетевая школа
Служебная записка
Телефонный справочник
Электронная библиотека
Электронная почта
Об институте
Основные сведения
Руководство
Кафедры
Технологические центры
Партнеры
Новости
Новости
Галерея
Контакты
Адрес
Руководство
Учебный отдел
Социальные сети
Бакалавриат и специалитет
Магистратура
Аспирантура
Иностранным абитуриентам
Направления исследований
Трудоустройство
Ассоциация выпускников
Проекты и достижения
Расписание
Онлайн обучение
Олимпиады и конкурсы